HSBA6066 دیتاشیت

HSBA6066

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HSBA6066
حجم فایل 67.17 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت HSBA6066

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUASHUO HSBA6066
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 75W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 33nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.67nF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 78A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.65V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 25pF@30V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.4mΩ@10V,30A
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: HUASHUO

محصولات مشابه